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碳化硅SiC外延工藝溫度監(jiān)測方案
來源: | 作者:上海明策 | 發(fā)布時間: 2024-10-08 | 557 次瀏覽 | 分享到:


 SiC外延需要嚴(yán)格控制厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長途率,方法包括化學(xué)氣相沉積CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等,其中CVD兼?zhèn)涑杀具m中+外延質(zhì)量好+生長速度快的優(yōu)勢,應(yīng)用最廣。

 

該工藝生長溫度需要達到最高 1700 ℃,還涉及到多種復(fù)雜氣氛環(huán)境,這對設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計和控制帶來很大的挑戰(zhàn)。

SiC CVD外延設(shè)備一般采用水平熱壁式反應(yīng)腔、水平溫壁式反應(yīng)腔和垂直熱壁式反應(yīng)腔 3 種設(shè)備結(jié)構(gòu)原理形式。

 

在水平熱壁單片式外延爐中高溫計通過石英窗口以及石墨熱壁開孔,可以測試石墨熱壁中段的溫度。根據(jù)現(xiàn)場設(shè)備情況,高溫計可選用激光瞄準(zhǔn)或視頻瞄準(zhǔn)形式。

 


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